概述

          隨著便攜式電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，印制電路板以高密度互連為主體，逐漸向微型化、高集成度和高可靠性的方向而發(fā)展，而PCB的精度、高密度、高可靠性與銅箔的厚度有關(guān)，銅箔越厚，除去線路殘銅的蝕刻時(shí)間就越長，側(cè)蝕現(xiàn)象也就越嚴(yán)重；當(dāng)線路越精細(xì)時(shí)，側(cè)蝕現(xiàn)象也越明顯。如果選用厚度在10μm 以下的超薄銅箔，則可大幅度減少蝕刻時(shí)間，確保高精度蝕刻，因此對(duì)電解銅箔提的要求也隨之提高，使得電解銅箔的厚度逐漸向12μm、9μm、5μm、3μm、1.5μm 等超薄方向發(fā)展。

       載體銅箔是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和功能的高端電子材料，核心結(jié)構(gòu)為"支撐層+剝離層+超薄銅箔"，超薄銅箔厚度≤3μm，主要用于高密度互連（HDI）板、芯片封裝基板、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備小型化、高性能化的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

產(chǎn)品基本參數(shù)

載體銅箔的使用

       載體銅箔在應(yīng)用于PCB 的線路制作中時(shí)，首先與樹脂基板進(jìn)行壓合，通過其表面銅牙層與樹脂基板緊密結(jié)合后，將剝離層與載體銅箔層完全剝離除去后，得到表面純凈無殘留且與樹脂基板緊密結(jié)合的超薄銅箔產(chǎn)品，隨時(shí)可以進(jìn)行下一步的線路制作加工。

載體銅箔制造工藝

       使用一定厚度12/18μm的電解銅箔作為陰極，然后在其表面直接進(jìn)行銅的電沉積。主要分為3部分：載體箔、剝離層和極薄銅箔。載體箔提供支撐，保持銅箔在制備和運(yùn)輸過程中的平整性；剝離層則位于載體箔和極薄銅箔之間，便于兩者的分離。極薄載體銅箔制備流程主要分為：載體箔制備、剝離層沉積、電沉積極薄以及后續(xù)處理。

行業(yè)應(yīng)用

1、IC封裝基板（載板）

用于IC封裝載板中充當(dāng)導(dǎo)電層和信號(hào)傳輸通道，連接芯片單元與PCB線路，確保電信號(hào)高效穩(wěn)定傳輸。是先進(jìn)封裝（如mSAP工藝）的必需基材，支持芯片小型化、高密度集成，應(yīng)用于AI大模型、高性能計(jì)算、存儲(chǔ)芯片等領(lǐng)域。

2. HDI高密度互連板

用于制造類載板（SLP）和高端PCB，滿足高頻通信（5G/6G）、高速服務(wù)器及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超細(xì)線路需求。低表面輪廓（Rz≈0.4-2.0μm）特性減少信號(hào)衰減，提升設(shè)備穩(wěn)定性和集成度。

關(guān)于設(shè)備

上海聯(lián)凈載體銅箔制造設(shè)備

1、載體層制造設(shè)備：

采用電解銅箔設(shè)備生產(chǎn)載體層，厚度為12μm或18μm。該設(shè)備以陰極輥為核心，通過直流電沉積工藝在鈦筒表面生成高精度銅箔。

冷擠壓鈦圈技術(shù)使晶粒度達(dá)12級(jí)（粒徑10μm），顯著優(yōu)化厚度均勻性與機(jī)械強(qiáng)度。

2. 剝離層與超薄銅箔層一體化沉積設(shè)備：

一體制造工藝：通過電化學(xué)沉積同步構(gòu)建剝離層和超薄銅箔層，避免分步加工導(dǎo)致的界面缺陷。剝離層厚度精準(zhǔn)控制，確保高溫壓合后易剝離且無殘留。

超薄銅箔沉積技術(shù)：

■ 采用脈沖電化學(xué)沉積，生成1.5-3μm超薄銅層；

■ 微晶粗化層工藝技術(shù)，表面粗糙度Rz≤1.0μm，通過酸洗（H?SO?/H?O?溶液）、硅烷處理實(shí)現(xiàn)鏡面級(jí)光面；

■ 符合HVLP3銅箔核心指標(biāo)，低信號(hào)損耗，滿足高頻高速PCB（如AI服務(wù)器、5G基站）對(duì)信號(hào)完整性和可靠性的嚴(yán)苛需求。

上海聯(lián)凈新型載體銅箔工藝也即將面世

• 聯(lián)系獲取相關(guān)技術(shù)方案